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有了这两款超低噪声SiGe: C型双极晶体管LNA,射频电路设计变得So Easy!

2018-01-25 11:06文章出处:英飞凌

随着技术水平的提高,为了满足射频应用场景的需求,在射频电路设计中往往需要适用高性能、高灵活性的射频分立器件。

今天小编就给大家安利两款应用在通讯领域已商用的WLAN场景中表现抢眼的超低噪声SiGe:C型双极晶体管LNA!

 

“易于使用”的2.4GHz超低噪声SiGe:C型双极晶体管LNA


首先给大家说说BFP/BFR7x0系列,这是英飞凌科技的HBT晶体管系列,专为2.4GHz工作频段设计,低噪声且易于使用。

BFP/BFR7x0系列在 2.4GHz 频带的应用电路中的增益为19dB,噪声系数为0.65dB,且仅需8个无源器件,可应用于如下领域:

应用
>GPS和其他导航系统 
>SDARS卫星广播(北美),DMB 
>WLAN、无绳电话、DSRC和UWB(北美) 
>卫星电视

通过应用示例,看下BFP/BFR7x0系列的那些亮点吧!

BFP/BFR7x0系列应用示例(点击查看大图)

 

BFP740ESD为例,它是HBT晶体管,基于SiGe:C工艺,极其鲁棒,HBM静电放电高达2kV,射频输入功率高达21dBm。

BFP740ESD适用于便携式电池供电的应用,低功耗是此类应用的关键要求,此外还支持高达4.2V集电极电压。

主要性能参数@2.4GHz&5.5GHz频率(点击查看大图)

 

2

高性能的5GHz超低噪声 SiGe:C 型双极晶体管LNA

紧接着是BFx840x系列,这是英飞凌科技的最新分立HBT晶体管系列,专为追求高性能而设计 5GHz频带,具有低噪声的特点。

BFx840x系列在 5GHz 频带的应用电路中的增益为18dB,BiC噪声系数为0.95dB,同样只需8个无源器件,可应用于如下领域:

应用

>5-6GHz Wi-Fi路由器或AP 

>GPS导航系统 

>无人机遥控器

来看应用示例,一起挑挑BFx840x有哪些可圈可点之处!

BFP840ESD应用示例(点击查看大图)

BFP840ESD为例,它是一款HBT分立晶体管,基于SiGe:C 工艺,专为Wi-Fi 连接应用适用的高性能5GHz频带低噪声放大器(LNA)解决方案而设计。

英飞凌独特的晶体管工艺可在高达5GHz频段显著提高增益(Gain)并同时保证极低的噪声系数(NF)。

主要性能参数@5~6GHz频率(点击查看大图)

 

3

 

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郝盛 - 电源管理与多元化事业部--射频与传感器产品线技术市场高级工程师

在航空/航海电子和半导体行业从业11年,擅长射频/模拟电路设计。

2006年7月毕业于南京理工大学,获得通信与信息系统硕士学位;

2006年7月加入中国无线电电子研究所,担任航海/航空VHF,UHF收发信机的射频电路设计工作;

2010年10月加入英飞凌科技(中国)有限公司,负责电源和射频产品的应用技术支持;

2015年11月至今负责射频和保护器件产品线的技术市场工作。

 

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