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再赏无线充电:磁共振式带来更好用户体验

2017-04-26 15:40文章出处:英飞凌

清明前小编为大家介绍的英飞凌电磁感应式无线充电解决方案(移步请点此:无线充电这么火,英飞凌专家和您品一品),如同清明前的新茶,大家品过后是不是感觉余香袅袅、意犹未尽?而磁共振式,就仿佛面若桃花的女子,终于梳妆妥当,出阁拜见官人啦——请好生端赏!

如下图所示,目前无线充电主要有三种实现方式,今天主要谈谈磁共振式无线充电。

磁共振式无线充电有多种好处,比如:

  • 发射器与接收器之间的距离可以更远

  • 较高的传输功率

  • 更易于嵌入已有家具中而不需重新设计家具

  • 金属后盖的智能或可穿戴设备也能充电.

  • 上述优势综合在一起,让用户体验更佳

 

就磁共振式无线充电发射器一端的拓扑来说,目前有D类功率放大与E类功率放大,再细分下去,有D类全桥、半桥,E类全桥、半桥。

但是不管如何分类,所有磁共振式无线充电解决方案,甚至包括电磁感应式,它们的主要设计需求是一致的:

  • 高效和易于设计的发射器解决方案

  • 为接收器和发射器提供冷却的智能热量管理

  • 小型化需求,因此器件的封装尺寸要小

  • 通过高充电功率,可以确保更快的充电速度

 

为了满足上述磁共振式无线充电发射器的设计需求,针对不同拓扑,英飞凌建议采用以下器件:

 

Class D拓扑推荐器件

Class E拓扑推荐器件

 

采用英飞凌器件

设计磁共振式无线充电的

九个理由

1 

缩减BOM

能替换市面已有的GaN方案,降低电压钳位电路的要求。

2 

高效且易于设计的方案

用Benchmark测得相当低的开关与传输损耗。

广泛应用的驱动芯片使得设计更自由

一流的驱动IC,专为硅MOSFET特性优化过——扩展的栅极驱动器窗口,死区时间控制,内部无夹导致较低的损失。

小尺寸而高达100V的耐压,意味着高功率密度

提供超低开关与传输损耗的最小封装MOSFETS和Power Stages。

久经考验的硅方案很成熟

就现阶段而言,GaN方案远没有硅方案成熟,而英飞凌的硅方案能完全满足客户需求。在不远的将来,英飞凌计划提供与硅方案一样成熟的GaN方案。

封装优化

英飞凌的MOSFET(2x2,3x3 HB)和Power Stage(DrBridge)采用低寄生的封装。

供应链稳定而安全

英飞凌拥有强大的持续性业务,以及经过验证的物流体系。

凭借英飞凌参考设计方案能获得更快的上市时间

做好准备吧,采用英飞凌应用广泛的参考设计,以创建您的变频器/适配器/充电器方案。

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